四碘化錫（IV），化學(xué)式為SnI?，是一種無機化合物，由四價錫離子（Sn??）與碘離子（I?）通過離子鍵結(jié)合而成。與碘化亞錫（SnI?）最核心的區(qū)別在于，其中的錫原子處于+4氧化態(tài)。這是錫最穩(wěn)定、最常見的氧化態(tài)，因此SnI?在熱力學(xué)上比SnI?更為穩(wěn)定。通常為橙紅色至褐色的晶體，外觀上與SnI?相似，但顏色可能更深一些。遇水會發(fā)生緩慢水解，生成錫酸（或水合二氧化錫）和氫碘酸，極易溶解于非極性有機溶劑，如苯、甲苯、氯仿、二硫化碳和四氯化碳，也溶于一些極性溶劑如乙醚和丙酮。

常用的合成方法主要有：碘蒸汽與金屬錫的氣-固相合成；氯化亞錫溶液與過量的碘反應(yīng)得到四碘化錫氣體；硫化錫與過量的碘溶液在鹽酸的作用下加熱，產(chǎn)生四碘化錫；稍過量的錫和易升華的碘在純的四氯化碳溶液中加熱，得到四碘化錫晶體；二氧化錫與濃的氫碘酸加熱，有四碘化錫生成。

以下是其主要應(yīng)用領(lǐng)域：

1、化學(xué)氣相沉積

因四碘化錫具有適當(dāng)?shù)膿]發(fā)性、良好的熱穩(wěn)定性（在氣化時）以及高的反應(yīng)活性，被應(yīng)用于CVD和原子層沉積（ALD）工藝中。通過氫等離子體或高溫氫氣，四碘化錫可以被還原為金屬錫薄膜，可用于電子器件的電極、焊接層或作為合成其他材料的中間體。

通過MOCVD或ALD使用四碘化錫，可以制備出純度極高、均勻性極佳、電學(xué)性能優(yōu)越的SnO?薄膜。SnO?是一種重要的透明導(dǎo)電氧化物，廣泛應(yīng)用于觸摸屏、液晶顯示器、太陽能電池的透明電極、以及氣體傳感器。四碘化錫是沉積SnO?的優(yōu)異前驅(qū)體，通常在含氧氣氛（如O?, H?O）中發(fā)生反應(yīng)。

2、酸催化劑

四碘化錫是一種非常強的路易斯酸，其酸性強于SnCl?和TiCl?。這是因為I?離子的給電子能力弱，導(dǎo)致錫中心的電子云密度更低，更容易接受孤對電子。能夠參與催化不飽和羧酸或特定結(jié)構(gòu)的二酸分子內(nèi)環(huán)化，形成內(nèi)酯或環(huán)狀酸酐；作為高效的催化劑，促進“點擊化學(xué)”中的核心反應(yīng)——銅催化的疊氮-炔環(huán)加成反應(yīng)的變體，用于高效構(gòu)建雜環(huán)。

3、鈣鈦礦太陽能電池

在合成全無機CsSnI?鈣鈦礦時，四碘化錫可以作為錫源之一，在反應(yīng)體系中，過量的I?有助于形成更穩(wěn)定的鈣鈦礦相。在鈣鈦礦薄膜退火過程中，四碘化錫可以被有機胺鹽（如甲脒，F(xiàn)A）或溶劑分子部分還原，生成SnI?，從而實現(xiàn)原位P型摻雜。這種方法可以提供更均勻的摻雜分布。

4、分析化學(xué)

四碘化錫在酸性條件下緩慢水解生成I?，隨后可與硫代硫酸鈉（Na?S?O?）進行滴定。常用于氧化劑（如 KMnO?、Ce??）的含量測定、金屬離子（Fe2?、Cu?）的氧化還原分析。在Ag?、Hg2?、Pb2?等金屬離子的比色測定中，四碘化錫通過釋放I?與金屬離子形成深色沉淀或配合物，產(chǎn)生特征吸收峰（400–450?nm），可用分光光度計定量。

四碘化錫可提供Sn??與I?的已知濃度溶液，用于儀器的質(zhì)量校準、靈敏度驗證以及多元素混標（mixed?element standards）?的制備。

在錫含量的重量法中，取一定量的樣品經(jīng)酸溶解后加入過量四碘化錫，使Sn??完全轉(zhuǎn)化為四碘化錫晶體，隨后通過過濾、干燥、稱重得到四碘化錫的質(zhì)量，進而計算樣品中Sn的含量。

需注意，四碘化錫屬于第?8.1類酸性腐蝕品，具有較強的腐蝕性和在高溫下易產(chǎn)生有毒煙氣的危險。操作時必須佩戴防酸堿手套、護目鏡和實驗服，必要時使用面罩或呼吸防護器；皮膚、眼睛或黏膜一旦接觸應(yīng)立即用大量流動清水沖洗至少?15?分鐘，并及時就醫(yī)。儲存條件要求陰涼、干燥、通風(fēng)良好的環(huán)境，遠離強氧化劑、強堿和潮濕空氣；若必須長期保存，應(yīng)放置在防潮包裝（如鋁復(fù)合薄膜真空包裝）中，并在容器外部貼上防潮標簽。